在室温下构建具有高外部量子效率(EQE)的微型发光二极管(LED)仍然是片上光电器件的挑战。鉴于此，2024年10月2日东南大学倪振华&复旦大学周鹏&南京师范大学刘宏微于Science Advances刊发范德华集成单结发光二极管室温量子效率超过10%的研究成果，展示了使用典型的层状Ruddlesden-Popper钙钛矿(RPP)通过干转移范德华(vdW)集成方法制造的微型LED。单晶层状RPP纳米薄片用作活性层，并夹在两个几层石墨烯触点之间，形成范德华LED(vdWLED)。在室温下观察到强电致发光(EL)发射，开启电流密度低至~20 pA μm−2，EQE高至超过10%，这为有史以来记录的 vdWLED的EQE设定了基准。这种高效的EL发射归因于RPP固有的多量子阱结构和高光致发光量子产率(~35%)以及由Fowler-Nordheim隧穿机制促成的低电荷注入势垒(~0.10 eV)。这些发现有望为片上光学光电器件提供高性能微型光源的可扩展途径。
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