SAM层的不润湿问题可能会使后续的钙钛矿沉积变得复杂并影响器件效率。鉴于此,2024年10月28日中山大学毕冬勤于AFM刊发通过双重改性策略改善反式钙钛矿太阳能电池的埋底界面接触的研究成果,本研究使用涉及共自组装和缓冲层的双重方法来解决这一挑战,以增强埋入钙钛矿薄膜的润湿性和界面接触。采用弱酸性硼酸衍生物4-N,N-二甲基苯硼酸盐酸盐(4NPBA)与ITO上的常规SAM分子共自组装,随后的FAI缓冲层进一步将钙钛矿薄膜覆盖率提高到89%。这种双掩埋界面策略——SAM-4NPBA/FAI——产生了平坦且致密的钙钛矿界面。优化后的器件具有88.35%的高填充因子、25.29%的功率转换效率,并且在500小时的最大功率点测试后仍保持99%以上的初始效率。
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