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       金属卤化物钙钛矿有望成为下一代发光二极管，特别是在近红外范围内，其性能优于有机和量子点。然而，它们仍比不上昂贵的III-V半导体器件，后者可实现30%以上的外部量子效率和高亮度。在众多因素中，控制晶粒生长和纳米级形貌对于进一步提高器件性能至关重要。鉴于此，2024年12月30日普渡大学窦乐添于Nature Communications刊发高效近红外钙钛矿发光二极管的晶粒工程的研究成果，本研究提出了一种晶粒工程方法，该方法结合了溶剂工程和异质结构构造，以提高光耦合效率和缺陷钝化。溶剂工程可以精确控制晶粒尺寸和分布，将光耦合率提高到~40%。用共轭阳离子构建2D/3D异质结构可降低缺陷密度并加速辐射复合。由此产生的近红外钙钛矿发光二极管实现了31.4%的峰值外部量子效率，最大亮度为929 W sr^-1 m^-2。这些发现表明，钙钛矿发光二极管具有作为实际应用中经济高效、高性能近红外光源的潜力。