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      锡基钙钛矿发光二极管因其环境友好特性和在NIR-II窗口发射的潜力而备受关注。然而，锡基钙钛矿固有的自p型掺杂和高空穴迁移率导致在高电流密度下空穴注入过量，造成严重的空穴耗散，阻碍了高亮度下高效率的实现。鉴于此，2026年5月5日复旦大学解凤贤&华侨大学卢建勋&魏展画于NC刊发细长晶粒形貌用于高效、高辐射NIR-II锡基钙钛矿发光二极管的研究成果，本文提出了一种晶粒形貌调控策略来优化电子-空穴注入和复合动力学。通过引入生长调控剂，钙钛矿晶粒形貌显著地从低矮的树枝状结构转变为细长的岛状结构，从而限制了空穴的过度注入，并将复合区空间限制在钙钛矿内部更深处。最终，优化后的器件实现了10.7%的外量子效率和173 W sr⁻¹ m⁻²的高亮度，并在963 nm处发射近红外二区光。此外，这些器件表现出低效率滚降，在153.6 W sr⁻¹ m⁻²的高辐射率下实现了 8.1% 的外部量子效率。