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钙钛矿和电子传输层（ETL）之间的埋底界面对于进一步提高钙钛矿太阳能电池（PSC）的功率转换效率（PCE）和稳定性起着至关重要的作用。然而，由于它被埋在钙钛矿薄膜的底部，因此有效地优化该界面具有挑战性。鉴于此，2021年11月27日上海交通大学赵一新团队及其合作团队上海理工大学Taiyang Zhang团队于AEM刊发CsI增强型埋底界面制备高效且抗紫外线的钙钛矿太阳能电池的研究成果。报道了一种使用CsI-SnO2复合物作为ETL构建高效稳定钙钛矿太阳能电池的埋底界面强化策略。CsI改性促进钙钛矿薄膜的生长并有效钝化界面缺陷。同时，Cs⁺的梯度分布有助于与钙钛矿更合适的带排列，并且在底部界面处将Cs⁺掺入钙钛矿中增强了对紫外线照射的抵抗力。最终，实现了高达 23.3%的显著改善的效率和大大增强的FAPbI3基钙钛矿太阳能电池的紫外线稳定性。这项工作强调了铯界面的重要性，并为同时实现高效和紫外线稳定的钙钛矿太阳能电池提供了一种有效的方法。