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 基于钙钛矿量子点的发光二极管 (LED) 显示出超过 23% 的外部量子效率 (EQE) 和窄带发射，但工作稳定性有限。由有机嵌入分隔阳离子的量子阱 (QW) 组成的低维钙钛矿 (RDP) 显示出高激子结合能，并有可能提高稳定性和光致发光量子产率。然而，到目前为止，基于RD钙钛矿的LED表现出较低的EQE和较差的颜色纯度。假设可变受限量子阱的存在可能导致非辐射复合损失和扩大的发射。鉴于此，2021年11月24日多伦多大学Sargent团队&华侨大学魏展画团队于Nature刊发EQE25.6% 分布控制可实现高效的低维钙钛矿LED的研究成果。报告了具有更单分散量子阱厚度分布的明亮RDP，这是通过使用双功能分子添加剂实现的，该添加剂同时控制RDP多分散性，同时钝化钙钛矿量子阱表面。合成了一种氟化三苯基氧化膦添加剂，它与有机阳离子形成氢键，在RD钙钛矿薄膜沉积过程中控制它们的扩散并抑制低厚QW的形成。氧化膦部分通过与不饱和位点的配位键合来钝化钙钛矿晶界，从而抑制缺陷形成。这导致具有窄带发射和高光致发光量子产率的紧凑、光滑和均匀的RD钙钛矿薄膜。制备的LED的EQE为 25.6%，超过40个器件的平均EQE为22.1 ±1.2%，并且在初始亮度为每平方米7,200坎德拉时的工作半衰期为两小时。