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钙钛矿光电二极管具有高响应度和宽光谱灵敏度，其低成本的可见光和近红外传感极具吸引力。在钙钛矿光电二极管中实现高检测率的一个重大挑战是降低暗电流密度(JD)和噪声电流(in)。这通常是通过使用电荷阻挡层来减少电荷注入来实现的。鉴于此，2021年12月14日荷兰埃因霍温理工大学René A. J. Janssen & Gerwin H. Gelinck团队于Nature Communications刊发通过减少电荷注入和界面电荷产生获得超低暗电流的近红外钙钛矿光电二极管的研究成果。通过分析具有不同带隙和电子阻挡层(EBL)的锡铅混合钙钛矿光电二极管的暗电流密度的温度依赖性，证明虽然电子阻挡层消除了电子注入，但它们促进了电子阻挡层-钙钛矿界面处不希望的热电荷产生。电子阻挡层和钙钛矿之间的界面能偏移决定了暗电流密度的大小和活化能。通过增加该偏移，实现了具有超低暗电流密度和噪声电流分别为5×10⁻⁸ mAcm⁻²和2×10⁻14 AHz^−1/2以及高达1050 nm的波长灵敏度的钙钛矿光电二极管，建立了新的设计最大化钙钛矿光电二极管检测率的原理。