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尽管金属卤化物钙钛矿在各种光电子学中取得了令人瞩目的发展，但由于离子迁移和大有机间隔物隔离，采用最先进的钙钛矿通道的高性能晶体管的进展受到限制。鉴于此，2022年4月1日浦项科技大学Yong-Young Noh团队及其合作团队于NC刊发通过阴离子工程实现高性能无滞后钙钛矿晶体管的研究成果。报告了基于甲基铵锡碘化物 (MASnI3) 的高性能无滞后 p 沟道钙钛矿薄膜晶体管 (TFT)，并合理解释了卤化物 (I/Br/Cl) 阴离子工程对薄膜质量改进和锡的影响/碘空位抑制，实现20 cm² V^-1 s^-1的高空穴迁移率，超过10⁷的电流开/关比，0 V的阈值电压以及高运行稳定性和可重复性。揭示了离子迁移对Sn基钙钛矿TFT的滞后作用的贡献可以忽略不计；相反，少数载流子俘获是主要原因。最后，将钙钛矿TFT与商业化的n沟道铟镓锌氧化物TFT集成在单个芯片上，以构建高增益互补逆变器，促进开发卤化物钙钛矿半导体用于可印刷电子和电路。