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具有非凡光电特性的卤化物钙钛矿半导体已引起人们的兴趣。卤化物钙钛矿纳米晶体、单晶和薄膜已被制备用于各种领域，例如光发射、光检测和光收集。高性能器件依赖于由成核和晶体生长过程决定的高晶体质量。鉴于此，2022年4月6日华中科技大学梅安意&韩宏伟团队于AM刊发纳米晶体、单晶和薄膜中的钙钛矿结晶过程和方法的综述。在这篇综述中，对由溶液过饱和驱动的结晶过程进行了基本的理解，并总结了卤化物钙钛矿晶体的那些方法。过饱和决定了参与自发聚集的表面和体积分子单元的比例和平均吉布斯自由能变化，这在溶液中可能是稳定的，并且只有当溶液超过所需的最小临界浓度 (Cmin) 时才会诱导均匀成核。由于存在表面，晶体生长和异相成核在热力学上比均相成核更容易。纳米晶主要是通过在 Cmin上快速增加浓度以成核为主的过程制备，单晶主要通过保持溶解度和 Cmin之间的浓度通过生长为主的过程来制备，而薄膜主要是通过影响成核和生长来制备确保致密性和粒度的工艺。还回顾了制备这三种形式的卤化物钙钛矿的典型策略。