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涂覆在基板上的钙钛矿层的优选取向和非均匀应变会导致带隙中不希望的蓝移以及晶界内部和晶界上的一些缺陷。因此，在满足晶界陷阱钝化的同时抑制卤化物钙钛矿晶体的各向异性优选生长对于制备高效稳定的钙钛矿太阳能电池具有重要意义。鉴于此，2022年7月25日韩国蔚山国家科学技术研究所Sang Il Seok团队于Joule刊发中性配体释放钙钛矿薄膜外部应变的研究成果，通过将适量的三辛基膦（TOP）作为中性配体添加到FAPbI3前体溶液中，研究了旋涂钙钛矿薄膜的性能。含有MACl的 FAPbI3前体溶液中的三辛基膦显著减轻了MACl引起的优选取向并通过微应变的减少进一步诱导了带隙的红移。此外，三辛基膦通过晶界的表面终止有助于钝化缺陷。基于这些钙钛矿薄膜的钙钛矿太阳能电池表现出接近25%的效率。