CsPbI3在开发高效稳定的单结和叠层器件方面具有广阔的前景。然而，实现提供良好稳定性并与叠层器件兼容的反式器件仍然是一个挑战，而且深入的见解仍然难以理解。鉴于此，2022年8月2日中国科学院宁波材料技术与工程研究所方俊锋团队于AM刊发贫铅表面抛光用于高效反式CsPbI3钙钛矿太阳能电池的研究成果，发现CsPbI3的表面成分本质上是贫铅的，并且相关的陷阱是具有局部状态的p型。这些深能级p陷阱在CsPbI3/PCBM界面处引起劣质电子转移和严重的非辐射复合，导致开路电压(Voc)损失和填充因子(FF)显著降低。与分子钝化相比，使用 1,4-丁二胺(DAB)进行抛光处理可以消除非化学计量成分并根除这些固有的贫铅陷阱，从而实现出色的电子转移。抛光处理显著提高了反式CsPbI3光伏器件的FF和Voc，效率从12.64%提高到19.84%。此外，优化后的器件在输出运行1000小时后仍保持95%的初始效率。
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