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2022年8月26日罗格斯大学Vitaly Podzorov团队于AM刊发基于外延单晶钙钛矿的本征（无陷阱）晶体管的研究成果。报告了卤化铅钙钛矿场效应晶体管 (FET) 中本征（不受缺陷支配）电荷传导机制的首次实验实现。这一进展得益于：i) 一种新的气相外延技术，该技术可生产大面积单晶溴化铯铅(CsPbBr3)薄膜，该薄膜具有优异的结构和表面特性，包括原子级平坦的表面形态，基本上没有缺陷和与设备操作相关的级别的陷阱；ii) 使用各种薄膜和表面探针对这些薄膜进行广泛的材料分析，以证明材料的化学和结构质量；iii) 近乎理想（无陷阱）的FET的制造，其特性优于迄今为止报道的任何产品。这些器件允许研究本征FET和（门控）霍尔效应载流子迁移率随温度的变化。发现固有迁移率在从室温下的~ 30 cm²V^-1s^-1冷却到50 K时的~ 250 cm²V^-1s^-1时增加，揭示了主要受声子散射限制的带传输。建立本征（声子限制）迁移率为钙钛矿中载流子传输的理论描述提供了可靠的测试，揭示了该技术的基本限制，并为无处不在的未来高性能钙钛矿电子设备指明了道路。