与混合同类钙钛矿材料相比，全无机β-CsPbI3具有优异的化学和热稳定性，但最先进的β-CsPbI3钙钛矿太阳能电池在正常操作条件下（即在惰性光照下）的稳定性仍然不如他们的混合同行。在这里，发现钙钛矿/电子传输层界面附近CsPbI3中的晶格畸变可以在光照下老化的封装CsPbI3薄膜中引起多晶型转变。鉴于此，2022年9月22日普林斯顿大学Xiaoming Zhao&Yueh-Lin Loo团队于ACS Energy Letters刊发在钙钛矿/二氧化钛界面处具有烷基三甲氧基硅烷应变释放层的无机钙钛矿太阳能电池中的吸收体相稳定性、性能和寿命得到改善的研究成果。为了抑制这种晶格畸变，在钙钛矿/电子传输层界面引入了烷基三甲氧基硅烷应变释放层。研究发现具有最长烷基链的应变释放层在减少界面晶格畸变方面最有效，从而增强了钙钛矿/电子传输层界面处的电荷转移并提高了相/器件的稳定性。其在β-CsPbI3太阳能电池中的结合导致了20.1%的功率转换效率和在最大功率点跟踪条件下连续照明下封装器件外推T80大于3000小时的工作寿命。
