金属卤化物钙钛矿在下一代发光二极管(PeLED)中具有巨大潜力。尽管取得了重大进展，但实现高性能钙钛矿LED的关键在于优化钙钛矿晶体膜与电荷传输层之间的界面，尤其是埋底界面，这是钙钛矿生长的起点。鉴于此，2024年8月23日南京工业大学夏英东&郭庆勋&陈永华于Nano Letters刊发调节晶粒生长表面以实现高效的近红外钙钛矿发光二极管的研究成果，开发了一种自下而上的钙钛矿薄膜调制策略，使用甲脒乙酸盐(FAAc)来增强埋底界面。这种多方面的方法促进了高质量钙钛矿的垂直取向生长，同时最大限度地减少了缺陷。同时，FA+和ZnO之间的原位去质子化可以消除羟基(-OH)缺陷并调节ZnO的能级。由此产生的FAPbI3-PeLED表现出23.84%的冠军EQE，具有增强的运行稳定性和抑制的EQE滚降。该策略还成功扩展到其他混合卤化物钙钛矿LED（例如 Cs0.17FA0.83Pb(I0.75Br0.25)3），证明了其作为一种有效且直接的增强钙钛矿LED性能的方法的多功能性。
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