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       控制溶液法制备锡钙钛矿的结晶动力学对于实现高性能无铅光电器件至关重要，但同时也极具挑战性。鉴于此，2025年5月30日南京工业大学常进&王建浦&黄维院士于AM刊发锡基钙钛矿界面定向生长用于高效发光二极管的研究成果，本文证明了基底调控的界面成核控制着锡基钙钛矿的晶体生长取向和薄膜质量。结果表明，原始的PEDOT:PSS基底通过强的PEDOT⁺-[SnI₃]_nⁿ⁻相互作用诱导以底部界面为主导的成核，从而驱动锡钙钛矿快速向上结晶，并产生光致发光量子效率（PLQE：≈26%）较低的粗糙薄膜。用柠檬酸钾（PC）进行策略性基底改性可削弱PEDOT⁺-[SnI₃]_nⁿ⁻相互作用，从而在溶剂蒸发过程中将成核起始点重定向至顶部界面。这导致锡钙钛矿受控向下结晶，形成具有更高结晶度和优异光电性能（PLQE：≈41%）的光滑薄膜。优化后的锡基钙钛矿发光二极管(LED)实现了创纪录的性能，外量子效率达到12.8%，最大辐射亮度达到190 W sr⁻¹ m⁻²，这是迄今为止已报道的锡基钙钛矿近红外LED的最高性能。这项工作证明了界面导向结晶控制是实现高性能锡基钙钛矿光电器件的有效策略。