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     钙钛矿发光二极管（PeLED）因其优异的发光性能，在下一代显示领域展现出巨大的应用潜力。然而，其复杂的制备工艺（通常依赖于溶液法和真空沉积交替进行）阻碍了其规模化生产。鉴于此，2026年1月26日中国台湾省国立清华大学林皓武于AEL刊发通过胍掺杂和超薄溴化锂界面层制备高效高亮度全真空沉积钙钛矿发光二极管的研究成果，本文提出了一种高性能全真空沉积PeLED的制备策略。通过引入真空升华的含氮添加剂——溴化胍，有效地抑制了钙钛矿薄膜中的固有体缺陷，并降低了非辐射复合。此外，还引入了一层超薄的真空沉积碱金属卤化物顶层，以修复缺陷界面，补偿热蒸发过程中溴的损失，并提高薄膜的结晶度。将这些先进的钙钛矿薄膜与真空升华有机传输层集成，制备出的钙钛矿发光二极管（PeLED）的最大亮度超过164,000 cd/m²，外量子效率（EQE）达到14.83%。EQE接近目前真空器件的最高纪录，而亮度比之前报道的大多数全真空沉积器件提高了5倍以上，这标志着PeLED显示器在实现工业化应用方面取得了重大突破。