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      由于与现有显示面板生产线兼容,采用热蒸发法制备的钙钛矿发光二极管(PeLED)非常适合大规模工业化生产。然而,全蒸发法制备的PeLED的性能落后于溶液法制备的同类产品,这主要是由于蒸发钙钛矿薄膜中缺陷密度较高。鉴于此,2026年3月31日华中科技大学郭闰达&王磊&南京工业大学王建浦于Nature Photonics刊发有机插层策略用于高效全蒸发钙钛矿发光二极管的研究成果,本文提出了一种结合有机插层的顺序沉积(SDOI)策略,通过将多功能有机分子盐酸苯乙双胍(PFCl)引入钙钛矿结晶过程,制备出高质量的钙钛矿薄膜。PFCl的插层有效地阻止了Cs和Pb前驱体之间的直接接触,从而促进了具有高度均匀晶体取向的低维钙钛矿薄膜的形成。此外,PFCl能够有效地钝化各种类型的缺陷,兼具有机间隔阳离子和钝化剂的双重作用。因此,展示了基于SDOI技术的浅蓝色钙钛矿发光二极管(PeLED),其外部量子效率为20.12%,最大亮度为23,704 cd m⁻²。还将SDOI策略应用于高性能绿色PeLED的制备,证明了该方法的通用性。此外,将基于SDOI技术的全蒸发PeLED集成到薄膜晶体管驱动的有源矩阵显示面板中,展示了SDOI策略在显示应用方面的潜力。SDOI策略为高效全蒸发PeLED的制备及其在实际应用中的规模化应用铺平了道路。


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