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      在反式钙钛矿太阳能电池中，如何在氧化镍（NiOx）上实现均匀的自组装单分子层（SAM）沉积并抑制高氧化态镍物种引起的界面缺陷仍然是一个挑战。鉴于此，2026年3月28日香港城市大学付强&中科院上海高等研究院高兴宇&鲁林峰&Xiaofei Ji于Angew刊发氧化还原介导的空穴传输层和埋底界面稳定化以实现稳定的钙钛矿太阳能电池的研究成果，本文提出了一种利用草酸铯（CsOA）进行表面改性的策略，以协同调控NiOx/SAM埋底界面。CsOA处理能够抑制有害的Ni⁴⁺含量，并与Ni³⁺螯合形成络合物[Ni(C₂O₄)₃]³⁻，从而维持Ni³⁺的稳定氧化态，并抑制其持续的氧化还原反应，最终增强导电性和p型特性。此外，作为缓冲层，CsOA可以防止高氧化态镍物种（Ni^≥3+）直接与未覆盖区域的钙钛矿反应，并通过草酸根离子与配位不足的Pb²⁺的相互作用钝化埋底的钙钛矿缺陷。此外，SAM与NiOx/CsOA之间增强的锚定作用促进了SAM的均匀组装，从而提高了薄膜的质量和稳定性。因此，优化的NiOx/CsOA/SAM空穴传输层（HTL）使得反式钙钛矿太阳能电池的效率分别达到22.89%（1.67 eV）和26.48%（1.54 eV），在65℃、AM1.5G光照条件下运行1560小时后，仍能保持初始效率的85.7%。可扩展的微型组件（活性面积为11.0 cm²）实现了23.45%的效率，凸显了该方法在高性能、高稳定性和工业化应用方面的巨大潜力。