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       钙钛矿太阳能电池的性能受到钙钛矿/电荷提取界面处非辐射复合的严重制约,这限制了其效率接近热力学极限。尽管已有大量研究致力于钝化表面缺陷,但界面能级失配在驱动非辐射损耗中的作用仍未得到充分理解。鉴于此,2026年3月15日华东理工大学吴永真&香港中文大学Martin  Stolterfoht于Angew刊发通过调控空穴选择性材料的末端基团来抑制反式钙钛矿太阳能电池中的非辐射复合的研究成果,本研究通过调控空穴选择材料(HSMs)的末端基团,探讨了空穴选择层与钙钛矿之间的价带顶(VBM)偏移对钙钛矿太阳能电池中非辐射复合损耗的影响。研究结果表明,最小化空穴选择界面处的能垒有利于实现钙钛矿中最大的准费米能级分裂(QFLS)。通过末端基团工程,实现了埋入式空穴传输层(HSM)/钙钛矿界面处精确的能级匹配,从而分别获得了基于1.53 eV和1.72 eV钙钛矿的钙钛矿太阳能电池26.88%和21.87%的高功率转换效率,其开路电压值分别达到了Shockley-Queisser极限的95%和91%。研究结果为设计空穴选择性分子以及阐明不同钙钛矿组分中非辐射复合损失与能级匹配之间的关系提供了有价值的见解。


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