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       利用低维钙钛矿钝化三维钙钛矿表面缺陷已成为提高器件效率的常用策略。然而，有机碘化铵衍生的低维钙钛矿通常会引发不良的界面去质子化和不稳定的Pb-I键暴露，最终损害器件稳定性。鉴于此，2026年4月27日大连理工大学史彦涛于Joule刊发非碘化物阴离子工程化的1D钙钛矿可增强界面晶格，从而实现高效稳定的钙钛矿太阳能电池和组件的研究成果，本文通过四丁基铵(TBA⁺)阳离子和拟卤素阴离子的共组装，构建了一种稳健的一维钙钛矿界面层。优化的界面结构能够同时抑制界面去质子化和层间离子迁移。此外，三氟甲磺酸根(CF₃SO₃⁻)阴离子通过配位置换不稳定的表面Pb-I键和锚定配位不足的Pb²⁺位点，稳定了晶格。最终，性能最佳的小面积器件和模块分别实现了26.47%（认证值为26.18%）和24.29%（认证值为23.73%）的卓越效率，在多种配置下均展现出优异的性能。经处理的器件在85°C下运行800小时后仍保持90%以上的初始效率（ISOS-D-2），并且在连续光照下T90工作寿命超过2000小时（ISOS-L-2）。