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       进一步提升叠层电池的效率及长期运行稳定性，关键在于调控钙钛矿埋底界面；在该界面处，无序结构和残余应力往往主导着非辐射复合损失及性能衰退过程。鉴于此，2026年6月18日西安交通大学刘宇航&西北工业大学Bitao Dong&南京邮电大学蔡波&中石油蒋龙&哈尔滨工程大学Wenping Yin&正泰新能李子佳于AM刊发硫取代自组装单分子层诱导Pb-S反键杂化，实现高效且稳定的钙钛矿/硅叠层太阳能电池的研究成果，与反式器件中常用的传统咔唑类自组装单分子层不同，本研究开发的一种硫取代SAM旨在与钙钛矿晶格发生直接相互作用，从而调控埋底界面的局部杂化状态。研究表明，这种硫取代咔唑类SAM能在钙钛矿埋底界面形成Pb-S反键杂化态，重构界面能级结构，并构建出一种经化学增强的空穴选择性接触层。密度泛函理论计算与光谱分析证实了Pb-S反键相互作用的形成及其对界面能级的优化效应。这种界面化学增强作用不仅抑制了非辐射复合，还缓解了残余晶格应力，并实现了工作条件下的快速空穴提取。将该策略应用于钙钛矿/硅叠层电池后，器件不仅实现了超过33%的认证光电转换效率，还在最大功率点追踪（MPPT）测试中展现出显著提升的运行稳定性。