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      串联发光二极管（LED）在效率和亮度方面具有优势，且能在达到目标亮度时降低电流密度；然而，在溶液法制备的钙钛矿LED中，其应用受到互连策略的限制，这些策略往往导致严重的电压损耗及较差的器件稳定性。鉴于此，2026年7月17日电子科技大学任翱博&白赛&巫江&林雪平大学高峰于NC刊发降低互连损耗的高性能多结钙钛矿LED的研究成果，本文展示了一种具有分级结构的互连层（ICL），该层集成了近简并电荷产生结与晶态-非晶态氧化物复合材料，实现了低势垒电荷传输和耐溶剂的叠层工艺，并降低了能量损耗。利用该ICL，制备了双结钙钛矿LED，其中两个发光单元高效串联工作，实现了42.6%的峰值外量子效率（EQE）、690 W sr⁻¹ m⁻²的最大辐射亮度以及较低的驱动电压。该ICL兼容多种钙钛矿发光材料，并支持可扩展的多结集成，从而实现了具有低于带隙开启电压及超过60%高EQE的多结器件。该研究确立了一种针对串联堆叠钙钛矿发光单元的低损耗互连策略，为开发高亮度、多波长的钙钛矿光源提供了一条切实可行的途径。